ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ. ПРИЕМНИКИ ЛУЧИСТОЙ ЭНЕРГИИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ

КЛАССИФИКАЦИЯ И СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ

ГОСТ 17704-72

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СТАНДАРТОВ СОВЕТА МИНИСТРОВ СССР

Москва

Несоблюдение стандарта преследуется по закону

Настоящий стандарт распространяется на неохлаждаемые и охлаждаемые фотоэлектрические полупроводниковые приемники лучистой энергии и устанавливает классификацию и систему единого обозначения фоторезисторов, фотомагнитных приемников, фотоприемников с р-п переходами с внутренним усилением и без внутреннего усиления.

1. КЛАССИФИКАЦИЯ

1.1. Классификация фотоэлектрических полупроводниковых приемников лучистой энергии должна соответствовать схеме, представленной на чертеже-

ГОСТ 17704-72 Стр. 3

2. СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИИ

2.1 Первый элемент обозначения полупроводниковых фотоэлектрических приемников лучистой энергии определяет группу приемника:

фоторезисторы неохлаждаемые — ФР; фоторезисторы охлаждаемые — ФРО; приемники фотомагнитные неохлаждаемые — ФМ; приемники фотомагнитные охлаждаемые—ФМО; фотоприемники с р-п переходами с внутренним усилением не* охлаждаемые — ФУ;

фотоприемники с р-п переходами с внутренним усилением ох* лаждаемые — ФУО;

фотоприемники с р-п переходами без усиления неохлаждае-мые — Ф Д;

фотоприемники с р-п переходами без усиления охлаждаемые — Ф ДО.

2.2.    Второй элемент обозначения полупроводниковых фотоэлектрических приемников лучистой энергии определяет материал, из которого изготовлен прибор. Обозначение материала должно соответствовать указанному в таблице.

Материал фоточувствитедьного элемента в обозначении приемника записывается либо в буквенном, либо в цифровом варианте в зависимости от назначения (области применения) приемника.

При обозначении двухцветных приемников и приемников с гетеропереходами необходимо указывать оба материала через разделительное тире. Материал с меньшей шириной запрещенной зоны должен записываться первым.

2.3.    Третий элемент обозначения полупроводниковых фотоэлектрических приемников лучистой энергии определяет порядковый номер разработки приемников в подгруппе и обозначается от 001 до 999.

2.4.    Четвертый элемент обозначения полупроводниковых фотоэлектрических приемников лучистой энергии определяет подгруппу приемников:

фоторезисторы многоэлементные — П (одно- и двухэлементные фоторезисторы обозначения подгруппы не имеют); фототранзистор униполярный — У; фототранзистор биполярный — Б; фотодиод лавинный — Л; фототиристор — Т;

фотодиод координатный — К (некоординатные фотодиоды обозначения подгруппы не имеют).

2.5.    В технически обоснованных случаях допускается присвоение полупроводниковым приемникам лучистой энергии сокращенных и дополнительных обозначений, что должно быть оговорено в

Стр. 4 ГОСТ 17704-72

стандартах или другой технической документации на приборы конкретных типов, утвержденных в установленном порядке.

2-6. Примеры условных обозначений приемников лучистой энергии приведены ниже:

ФД-ГЗ—001К — фотодиод неохлаждаемый из германия, легированного золотом, предназначенного для широкого применения, координатный. Номер разработки 001.

ФРО-51—011П — фоторезистор охлаждаемый из сульфида свинца, предназначенного для специального применения, многоэлементный. Номер разработки 011.

2.7. Настоящие обозначения не должны применяться в случаях обязательного применения кодов общесоюзного классификатора продукции.

ГОСТ 17704—п Стр. 5

Продолжение

Редактор А. И. Ломана

Сдано в наб. 18^ ^{1972 г}–    Подп.    в    печ.    31/V 1972 г. 0,5 п. л._Тир,    8850

Издательство стандартов. Москва, Д-22, Новопресненский пер., 3 Тип. «Московский печатник». Москва, Лялин пер., 6. Зак, 676